In breve:
Un gruppo di ricercatori cinesi ha realizzato un transistor senza silicio, composto da materiali bidimensionali a base di bismuto, capace di operare il 40% più velocemente rispetto ai chip tradizionali e con un consumo energetico inferiore del 10%. Questa innovazione potrebbe consentire alla Cina di aggirare le restrizioni occidentali sull'acquisto delle macchine per produrre chip al silicio avanzati, dato che questi transistor possono essere realizzati con attrezzature già presenti nel paese.
Riassunto completo:
- Ricercatori cinesi dell'Università di Pechino hanno sviluppato un nuovo transistor senza silicio, basato su materiali bidimensionali che sfruttano il bismuto.
- Questo transistor innovativo utilizza una struttura definita "gate-all-around" (GAAFET), diversa dai comuni transistor al silicio chiamati FinFET, migliorando la gestione della corrente e riducendo il calore e lo spreco energetico.
- Il transistor realizzato dai ricercatori risulta essere il 40% più veloce dei chip di silicio più avanzati di oggi e allo stesso tempo ha un consumo energetico inferiore del 10%.
- I materiali utilizzati, tra cui l'ossiseleniuro di bismuto (Bi₂O₂Se), consentono agli elettroni di muoversi più rapidamente e con minore resistenza, aumentando velocità ed efficienza.
- Questo nuovo approccio risponde anche alle restrizioni geopolitiche occidentali che impediscono alla Cina l'acquisto di tecnologie avanzate per la produzione di chip al silicio, permettendo invece di produrre transistor altamente performanti utilizzando strumenti attualmente disponibili nel paese.
- Sussistono ancora ostacoli: sarà necessario dimostrare la producibilità su larga scala e la durata nel tempo del transistor, ma i prototipi iniziali hanno già mostrato risultati molto promettenti.
Questo testo è un riassunto del seguente articolo (eng):
China Just Made the World’s Fastest Transistor and It Is Not Made of Silicon
The new transistor runs 40% faster and uses less power.
Tibi Puiu
Alternativa in italiano:
